英特尔在《人造》杂志宣告题为《检测300毫米自旋量子比特晶圆上的英特用性单电子器件》的研品评辩说文，展现了争先的扩充自旋量子比特平均性、保真度以及丈量数据。硅基更进这项钻研为硅基量子解决器的量解量适量产以及不断扩充（构建容错量子合计机的须要条件）奠基了根基。

英特尔打造的300毫米自旋量子比特晶圆

　　英特尔的量子硬件钻研职员开辟了一种300毫米高温检测工艺，运用互补金属氧化物半导体（CMOS）制作技术，畛域在全部晶圆上收集无关自旋量子比特器件功能的取患少许数据。

　　量子比特器件良率的上突降职，加之高通量的英特用性测试工艺，让英特尔的扩充钻研职员可能依据更多的数据合成平均性，这是硅基更进扩充量子合计机的紧张一步。钻研职员还发现，量解量适这些晶圆上的决器单电子器件在作为自旋量子比特运行时呈现优异，门保真度达到了99.9%。畛域就残缺基于CMOS工艺制作的取患量子比特而言，这一保真度设立了业界争先水平。

　　自旋量子比特的尺寸较小，直径约为100纳米，因此密度高于此外规范的量子比特（如超导量子比特），从而可能在相同尺寸的芯片上构建更重大的量子解决器。英特尔运用了极紫外光刻（EUV）技术实现小尺寸自旋量子比特芯片的大批量制作。

　　用数百万个平均的量子比特实现容错量子合计机，需要高度坚贞的制作工艺。凭仗在晶体操作造畛域充实的业余积攒，英特尔走内行业前沿，运用先进的300毫米CMOS制作技术打造硅自旋量子比特。300毫米CMOS制作技术个别可能在单个芯片上集成数十亿个晶体管。

　　在这些钻研成果的根基上，英特尔愿望不断取患上妨碍，运用这些技术削减更多互连层，以制作具备更高量子比特数以及更多衔接的2D阵列，并在工业制作流程中实现高保真的双量子比特门（2-qubit gates）。在量子合计畛域，英特尔未来的使命重点是经由下一代量子芯片不断扩充量子器件以及完乐成用降职。